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提供从设备配置、技术服务、到量产工艺优化，以及质量控制的全过程解决方案，满足包含从300mmx300mm到1200mmx2400mm尺寸的全产品线，满足CE/UL标准，承诺PCE 20%@300mmx300mm电池组件、PCE 18%@0.6mx1.2m电池组件。
钙钛矿/晶硅叠层太阳能电池设备和整线解决方案
在单结钙钛矿太阳能电池设备配置的基础上，提供一步涂布法或干湿两步法的钙钛矿/晶硅叠层电池制备工艺，包含从182mmx182mm到210mmx210mm尺寸的全产品线，满足CE/UL标准，承诺高电池效率。
产品介绍：
狭缝涂布设备 Slot-Die
技术特点：
- 多段式供液，涂布膜层均匀性高
- 通过3个激光传感器，实现快速自动对刀、防撞刀
- 搭配高精度注液泵
- 可采用钙钛矿溶剂验收
技术参数：
真空闪蒸及退火设备 VCD & Annealing
技术特点：
- 集成闪蒸和退火工艺，成膜环境和成膜过程高度可控
- 大面积样品退火受热均匀，保证相变一致性
- 快速去除湿膜中的残余溶剂，均匀的过饱和
- 变频调速罗茨泵实现抽气速率可控
技术参数：
激光划刻设备 Laser Scriber
技术特点：
- P1、P2、P3飞秒、皮秒红外激光可选
- 高度定制化，膜面/玻璃面划刻可选，平顶光斑可选
- 精度高，具备逐线功能，线间距小
- 工艺成熟，边缘光洁，无火山环及毛边
技术参数：
蒸镀设备 Evaporation System
技术特点：
- 多源共蒸，实现大面积镀膜
- 热场和温控精确
技术参数：
原子层沉积设备 Atomic Layer Deposition
技术特点：
- 精确控制薄膜厚度
- 薄膜均匀性高
- 温控精度高
- 全自主工艺腔室设计，空间型和时间型可选，多片和单片可选
技术参数：
磁控溅射设备 Sputtering System
技术特点：
- 工艺稳定性高
- 自研氧化镍反应溅射控制器
- ITO/NiOx靶采用圆柱靶，靶材利用率高
- 靶-基距可调，低损伤TCO导电膜镀膜
技术参数：